Pressemeldung

Vom 14. - 16.7.2003 fand im Moscone Convention Center in San Francisco die weltgrößte Fachmesse für die Halbleiterindustrie mit über 1.770 Ausstellern statt. SINGULUS TECHNOLOGIES hat auf dieser Messe seine neue TMR Beschichtungstechnologie für MRAM Wafer und verwandte Applikationen vorgestellt.

Nachdem IBM und Infineon Mitte Juni diesen Jahres in Kyoto, Japan, auf einem Symposium für VLSI-Technologie (VLSI = Very Large Scale Integration) ihren neuen schnellen 128-KBit-MRAM-Chip vorgestellt haben und bis zum Jahre 2004/2005 diese Speicherbausteine in den Markt einführen wollen, hat die MRAM Technologie weltweit weiter an Dynamik gewonnen. Der Weltmarktführer bei Optical Disc, SINGULUS TECHNOLOGIES AG, Kahl/Main, Germany, hatte letztes Jahr seine Geschäftsaktivitäten um Anlagen der TMR (Tunnel-Magnetic-Resistance) Beschichtungstechnologie mit der Hauptanwendung MRAM (Magnetic Random Access Memory – Magnetische Direkt- Zugriffsspeicher) erweitert.

Nachdem bereits im Jahr 2002 erste Kunden-Präsentationen erfolgten, werden nun seit Anfang diesen Jahres mit der neuen TMR-Beschichtungsanlage TIMARIS für 200 und 300 mm Wafer Applikationen und Testbeschichtungen für potentielle Kunden durchgeführt. Alle bisherigen Ergebnisse der Musterbeschichtungen zeigen, dass hier eine technologisch führende Anlagentechnik entwickelt wurde. Der wesentliche Vorteil der TIMARIS ist die Fähigkeit, die Schichtdicke ultradünner Schichten mit einer Genauigkeit von 0.01 nm präzise auf 300 mm Wafern abzuscheiden.

Nach der ersten Vorstellung der TIMARIS auf der Semicon Europe im April 2003 in München, zeigt nun auch die Präsentation auf der weltweit größten Halbleiter - Equipment Messe Semicon West 2003 in den USA eine sehr positive Resonanz. Es wurden zahlreiche Gespräche über aktuelle Projekte mit potentiellen Kunden geführt, so dass entsprechende Auftragseingänge noch in diesem Geschäftsjahr erwartet werden.

Hintergrundinformation:
MRAM (Magnetic Random Access Memory) vereint die Vorteile mehrerer Speichertechniken von heute: Es kann ähnlich schnell arbeiten wie SRAM, erreicht die Packungsdichte und damit die Kostenvorteile von DRAM, hat deutlich geringeren Energiebedarf und erhält die gespeicherten Daten auch beim Ausschalten der Spannungsversorgung bzw. bei Spannungsausfall. MRAM benutzt magnetische Elemente anstelle von elektronischer Ladung für die Speicherung der Datenbits. "MRAM hat das Potenzial, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computer-Generationen zu ersetzen", hatte ein IBM-Manager bereits vor zwei Jahren erklärt.